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| デンソーは、ＳｉＣのパワー半導体素子を製造する際に用いるウエハーのコストを半減できる新しい技術を開発しました。 | ||||||||||||
| ＳｉのＩＧＢＴからＳｉＣのＭＯＳＦＥＴに置き換えることで、インバーターにおける電力損失を３～５割削減できると見込んでいます。 | ||||||||||||
| （デンソー 発表） | ||||||||||||
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